制造商编号

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 28 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK135N65S-T1-GE3, S系列

RS 库存编号:: 878-898
制造商零件编号:: SIHK135N65S-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 28 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK135N65S-T1-GE3, S系列

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RS 库存编号:: 878-898
制造商零件编号:: SIHK135N65S-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N沟道
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	28A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PowerPAK 10 x 12
	系列	S
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.121Ω
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.4V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	51nC
	最大功耗 Pd	278W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N沟道
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 28A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PowerPAK 10 x 12
	系列 S
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.121Ω
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.4V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC
	最大功耗 Pd 278W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHK135N65S-T1-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay功率MOSFET专为高效管理开关与导通而设计，是各类电源应用的关键元件。

最新一代SF系列技术，确保卓越性能

低品质因数 (FOM) 可提高能效

额定雪崩能量，在压力下更可靠

单脉冲雪崩能量耐受能力，满足严苛应用需求

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 28 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK135N65S-T1-GE3, S系列

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