制造商编号

Vishay N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=27 A, 3针, TO-220, S Series系列

RS 库存编号:: 878-899
制造商零件编号:: SIHP135N65S-GE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=27 A, 3针, TO-220, S Series系列

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RS 库存编号:: 878-899
制造商零件编号:: SIHP135N65S-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	27A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	TO-220
	系列	S Series
	安装类型	表面安装
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.121Ω
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	51nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	255W
	正向电压 Vf	1.4V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 27A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 TO-220
	系列 S Series
	安装类型表面安装
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.121Ω
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 255W
	正向电压 Vf 1.4V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHP135N65S-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay功率MOSFET专为服务器与通信电源应用优化设计，可在严苛工况下显著提升能效与可靠性。

采用最新SF系列技术，功能全面升级

具备低品质因数，可有效降低运行过程中的功耗

雪崩能量额定，确保在瞬态工况下具备高可靠性

无卤无铅结构符合环保标准

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