制造商编号

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 27 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB135N65S-GE3, S系列

RS 库存编号:: 878-897
制造商零件编号:: SIHB135N65S-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 27 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB135N65S-GE3, S系列

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RS 库存编号:: 878-897
制造商零件编号:: SIHB135N65S-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N沟道
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	27A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	TO-263
	系列	S
	安装类型	表面安装
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.121Ω
	通道模式	N
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	51nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	255W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.4V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N沟道
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 27A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 TO-263
	系列 S
	安装类型表面安装
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.121Ω
	通道模式 N
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 255W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.4V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHB135N65S-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay 功率 MOSFET 可为节能应用提供卓越的性能。它专为严苛的电源管理需求而设计，可有效降低运行损耗，显著提升系统整体可靠性与能效。

它采用最新SF系列技术，实现出色的能效表现

品质因数较低，可显著降低功耗

提供更低的等效电容以提升开关性能

雪崩能量等级认证，无惧严苛环境

单一配置优化了空间利用，并简化了设计流程

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 27 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB135N65S-GE3, S系列

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