制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=45 V, Id=208 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 904-976
制造商零件编号:: SIR608DP-T1-BE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=45 V, Id=208 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 904-976
制造商零件编号:: SIR608DP-T1-BE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	208A
	最大漏源电压 Vd	45V
	包装类型	PowerPAK
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0012Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	50.5nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	104W
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	宽度	5.15mm
	标准/认证	ROHS
	长度	6.15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 208A
	最大漏源电压 Vd 45V
	包装类型 PowerPAK
	系列 TrenchFET
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0012Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 50.5nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 104W
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	宽度 5.15mm
	标准/认证 ROHS
	长度 6.15mm
	汽车标准否

Datasheet - SIR608DP-T1-BE3

COO (Country of Origin):: IL

Vishay 功率 MOSFET 专为提供高效开关和高功率密度而设计。它具有稳健性能和低导通电阻，确保在 DC/DC 转换器应用中实现卓越运行。

TrenchFET Gen IV 设计确保出色的效率

45 V 漏源击穿电压，性能可靠

10V 时的低导通电阻额定值为 0.00120 Ohm

在 25 °C 下，稳健的连续漏极电流为 208 A

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