制造商编号

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=80 V, Id=40 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 851-502
制造商零件编号:: SIR178DP-T1-BE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=80 V, Id=40 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 851-502
制造商零件编号:: SIR178DP-T1-BE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	TrenchFET
	包装类型	PowerPAK
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0029Ω
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	69.5nC
	最大功耗 Pd	375W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	长度	6.05mm
	标准/认证	AEC-Q101 Qualified
	高度	1.04mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 TrenchFET
	包装类型 PowerPAK
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0029Ω
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 69.5nC
	最大功耗 Pd 375W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	长度 6.05mm
	标准/认证 AEC-Q101 Qualified
	高度 1.04mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SIR178DP-T1-BE3

COO (Country of Origin):: TW

Vishay 高性能 N 通道功率 MOSFET 专为高效能源管理而设计。其主要功能是优化低功耗传导,使其适用于各种电力应用。

TrenchFET Gen IV 技术确保卓越性能

极低的导通电阻可最大限度减少传导损耗

支持低压栅极驱动,可提高效率

经过全面测试,确保在 R 和 UIS 条件下的可靠性

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