STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=20 A, 3针, TO-247, MDmesh系列

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RS 库存编号:
103-1991
制造商零件编号:
STW26NM60N
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

MDmesh

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

165mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

140W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-25V, +25V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

60nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

高度

20.15mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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