Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=5.9 A, 3针, SOT-23, Si2374DS系列

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RS 库存编号:
146-4438
制造商零件编号:
SI2374DS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

5.9A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

Si2374DS

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.041Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.7W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.7nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

8V

最高工作温度

150°C

高度

1.02mm

标准/认证

Lead (Pb)-Free

宽度

1.4mm

长度

3.04mm

汽车标准

TrenchFET® 功率 MOSFET

材料分类:

应用

负载开关

电源管理

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