Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=-8 V, -6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SI2329DS-T1-GE3, Si2329DS系列
- RS 库存编号:
- 256-7347
- 制造商零件编号:
- SI2329DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB3.063 | RMB76.58 |
| 50 - 75 | RMB2.91 | RMB72.75 |
| 100 - 225 | RMB2.764 | RMB69.10 |
| 250 - 975 | RMB2.626 | RMB65.65 |
| 1000 + | RMB2.495 | RMB62.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7347
- 制造商零件编号:
- SI2329DS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -6A | |
| 最大漏源电压 Vd | -8V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | Si2329DS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.12Ω | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -6A | ||
最大漏源电压 Vd -8V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 Si2329DS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.12Ω | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.3nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
高度 1.12mm | ||
长度 3.04mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor P 通道 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) 表面安装 SOT-23-3 (TO-236) 无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义。
TrenchFET 功率 Mosfet
100% Rg 测试
符合 RoHS 指令 2002/95/EC