Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=3.2 A, 4针, DFN

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包装方式：
RS 库存编号:
153-1890
制造商零件编号:
PMXB43UNEZ
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

3.2A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

DFN

安装类型

表面安装

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

120mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

8V

最大功耗 Pd

8.33W

最高工作温度

150°C

晶体管配置

单

长度

1.15mm

宽度

1.05mm

高度

0.36mm

每片芯片元件数目

1

N 沟道 MOSFET ≤ 20 V，为您的便携式设计提供最佳开关解决方案，多种高达 20 V 的单和双 N 沟道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。

20 V，N 沟道 Trench MOSFET，N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。

Trench MOSFET 技术

无引线超小型和薄型 SMD 塑料封装：1.1 x 1.0 x 0.37 mm

裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导

超低漏-源通态电阻 RDSon = 42 mΩ

1 kV ESD 保护

低侧负载开关和充电开关，用于便携式设备

电池驱动便携式设备的电源管理

LED 驱动器

直流 - 直流转换器

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