Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=210 mA, 3针, SC-75, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
165-7260
制造商零件编号:
SI1032R-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

210mA

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SC-75

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

340mW

最大栅源电压 Vgs

6V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61249-2-21, RoHS

宽度

0.86mm

长度

1.68mm

高度

0.8mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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