Vishay , 1 P型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=100 V, 6.8 A, TO-263, 表面安装, IRF9520SPBF

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180-8308
制造商零件编号:
IRF9520SPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

6.8A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

0.6Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

60W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

晶体管配置

标准/认证

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

宽度

10.67 mm

长度

9.65mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay MOSFET 是 N 沟道, IN-263-3 封装,是一种新时代的产品,漏极源电压为 100V ,最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 600mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 60W。 此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。

特点和优势


•提供带装和卷装

•动态 dV/dt 额定值

•快速切换

• 无卤素

•无铅 (Pb) 组件

•工作温度范围 -55°C 至 175°C

•重复耐雪崩等级

• TrenchFET 功率 MOSFET

应用


•电池充电器

• 变频器

• 电源

•开关模式电源 (SMPS)