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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB3.641 | RMB36.41 |
| 20 - 30 | RMB3.533 | RMB35.33 |
| 40 + | RMB3.426 | RMB34.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8833
- 制造商零件编号:
- IRLR110PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-252-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 10V。在 5V 栅极源电压下，漏极源电阻为 540mohm。MOSFET 的最大功耗为 25W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•提供带装和卷装
•动态 dV/dt 额定值
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
• 逻辑电平栅极驱动
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• VGS 时规定的 RDS (接通) 为 4V 和 5V
•重复耐雪崩等级
•动态 dV/dt 额定值
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
• 逻辑电平栅极驱动
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• VGS 时规定的 RDS (接通) 为 4V 和 5V
•重复耐雪崩等级
应用
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)