STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 5.5 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL10N60M6
- RS 库存编号:
- 192-4825
- 制造商零件编号:
- STL10N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 包，共 5 件）*
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 + | RMB16.082 | RMB80.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 192-4825
- 制造商零件编号:
- STL10N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 660mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 48W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6mm | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.5A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 660mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.8nC | ||
最大功耗 Pd 48W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.95mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6mm | ||
宽度 5 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
新型 MDMESH ™ M6 技术融合了著名的整合式 MDSJ MOSFET 系列的最新进步。STMicroelectronics 通过其全新 M6 技术构建了上一代 MDMESH 设备、该技术将出色的 RDS （接通）每个区域改进与最有效的交换行为之一结合在一起、并提供用户友好的体验、以实现最大的最终应用效率。
减少切换损耗
与上一代相比、每个区域的 RDS （接通）更低
低浇口输入电阻
提供齐纳保护