STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=15 A, 5针, PowerFLAT

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包装方式：
RS 库存编号:
192-4882
制造商零件编号:
STL26N60DM6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

15A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

PowerFLAT

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

215mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

110W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

最大栅源电压 Vgs

25V

最高工作温度

150°C

高度

0.9mm

宽度

8.1mm

标准/认证

No

长度

8.1mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
此高电压 N 通道功率 MOSFET 是 MDMESH ™ DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDMESH 相比、 DM6 将极低的恢复电荷（ Qrr ）、恢复时间（ TRR ）和每个区域的 RDS （ ON ）的出色改进与最苛刻的高效桥接拓扑和 ZVS 相移转换器的有效切换行为相结合。

快速恢复主体二极管

与上一代相比、每个区域的 RDS （接通）更低

低栅极电荷、输入电容和电阻

极高的 dv/dt 坚固性

提供齐纳保护

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