制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=350 A, 4针, SO-8, SQJA36EP系列

RS 库存编号:: 200-6823
制造商零件编号:: SQJA36EP-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=350 A, 4针, SO-8, SQJA36EP系列

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RS 库存编号:: 200-6823
制造商零件编号:: SQJA36EP-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	350A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	SQJA36EP
	包装类型	SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	1.24mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	107nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.1V
	最大功耗 Pd	500W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	宽度	1.1mm
	高度	6.25mm
	标准/认证	No
	长度	4.2mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 350A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 SQJA36EP
	包装类型 SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 1.24mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 107nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.1V
	最大功耗 Pd 500W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	宽度 1.1mm
	高度 6.25mm
	标准/认证 No
	长度 4.2mm
	汽车标准 AEC-Q101

Document- SQJA36EP-T1_GE3

Vishay SQJA36EP T1 GE3 是一款汽车用 n 沟道 40V （ d-s ） 175°c mosfet 。

trench场效应第四代功率 mosfet

符合 AEC-Q101

经过 100% rg 和 uis 测试

qgd/qgs 比< 1 可优化切换

特性

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