onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 201 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, NTB系列
- RS 库存编号:
- 202-5687
- 制造商零件编号:
- NTB004N10G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 800 件）*
¥25,338.40
(不含税)
¥28,632.00
(含税)
有库存
- 3,200 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 3200 | RMB31.673 | RMB25,338.40 |
| 4000 + | RMB31.04 | RMB24,832.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5687
- 制造商零件编号:
- NTB004N10G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 201A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | NTB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.82mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 340W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 175nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 高度 | 15.88mm | |
| 标准/认证 | Pb-Free and are RoHS | |
| 长度 | 10.63mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 201A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 NTB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.82mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 340W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 175nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.83 mm | ||
高度 15.88mm | ||
标准/认证 Pb-Free and are RoHS | ||
长度 10.63mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 功率 mosfet 的电流为 201 安培和 100 伏。它可用于 48 v 系统的热插拔。
低漏极到电源接通电阻
高电流容量
宽安全工作区域
无铅
无卤素
符合 RoHS