Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=41 A, 3针, TO-263, SiHB068N60EF系列

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包装方式：
RS 库存编号:
204-7244
制造商零件编号:
SIHB068N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

41A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SiHB068N60EF

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

68mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

最大功耗 Pd

250W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

高度

4.06mm

长度

14.61mm

标准/认证

No

宽度

9.65mm

汽车标准

否

Vishay omm e 系列 power mosfet 的 fast 主体二极管采用 4th e 系列技术。它减少了切换和传导损耗。

雪崩能量等级（ uis ）

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

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