Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 41 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB068N60EF-GE3, SiHB068N60EF系列
- RS 库存编号:
- 204-7244
- 制造商零件编号:
- SIHB068N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥202.40
(不含税)
¥228.70
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月04日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | RMB40.48 | RMB202.40 |
| 750 - 1495 | RMB39.27 | RMB196.35 |
| 1500 + | RMB38.092 | RMB190.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-7244
- 制造商零件编号:
- SIHB068N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 41A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | SiHB068N60EF | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 68mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 长度 | 14.61mm | |
| 高度 | 4.06mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 41A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 SiHB068N60EF | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 68mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 mm | ||
长度 14.61mm | ||
高度 4.06mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay omm e 系列 power mosfet 的 fast 主体二极管采用 4th e 系列技术。它减少了切换和传导损耗。
雪崩能量等级（ uis ）
低品质因数 (FOM) Ron x Qg