Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.4 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, SIHU5N80AE-GE3, E系列

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204-7228
制造商零件编号:
SIHU5N80AE-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.4A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

IPAK

系列

E

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.35Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

62.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.5nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

长度

6.73mm

高度

6.22mm

宽度

2.39mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay E系列功率MOSFET,800 V漏源电压,4.4 A最大连续漏电流 - SIHU5N80AE-GE3


这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强模式设备,专为工业和电子系统中的开关和功率转换而设计。它采用通孔 IPAK 封装,专为稳健的板载安装和在控制和电源组件中直接安装而设计。该设备适用于需要高排放到源电压能力和适度电流处理的应用。

特性和优点：


• 800V Vds 额定值,支持高电压开关应用 • 4.4 A 连续漏电流,可实现适度负载传输 • 1.35Ω Rds(on),可最大程度地减少负载下的传导损耗 • 62.5W 功耗支持持久热负载 • 16.5nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关控制 • 最高工作温度为150°C,适用于高温环境

应用


• 适用于高电压电源和转换器 • 适用于工业电机驱动前端 • 用于照明控制中的电源侧开关 • 可用于电源模块中的缓冲电路或夹紧电路 • 适用于通孔组件的原型设计和维修

为实现安全操作,应适用哪种栅极电压范围?


该设备可在栅极和源之间接受高达 30 V 的电压

设计通常使用与该最大值兼容的栅极驱动水平,以避免栅极过度压力。

栅极电荷对驱动器选择有何影响?


额定栅极驱动器的 16.5 nC 栅极电荷可确定所需的驱动电流和开关损耗

选择能够为所需开关速度提供足够峰值电流的驱动器。

它在运行过程中可承受的环境温度是多少?


它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,因此在高温条件下,热管理和接点与环境的考虑因素仍很重要。

它在 PCB 上需要哪种安装方式?


它是 IPAK 主体中的通孔组件,因此设计必须包含合适的钻孔和焊盘,以实现机械稳定性和热传递。