Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=60 V, Id=30 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
220-7404
制造商零件编号:
IPD30N06S4L23ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET & 二极管

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

23mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

36W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.1nC

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

16V

最高工作温度

175°C

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.41mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 55V 的 60V n 通道汽车功率 mosfet 系列范围广泛、它采用最新的最佳 mosfet 技术、封装范围广、 rds （接通）范围从 1.5mΩ m ² 到 160mΩThe ² ；采用 OptiMOS5 技术的新型 60V 汽车 mosfet 系列可提供更大功率和领先性能。优化用于驱动器和功率转换应用的时候、可减少传导损耗。SSO8 （ 5x6mm2 ）和 S3O8 （ 3x3mm2 ）更小的无引线封装与 dak 区域相比、可节省 50% 以上的空间。

N 通道 - 增强模式

符合 aec Q101 标准

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

100% 雪崩测试

60V 时全球最低 rds （接通）

最高电流容量

开关和传导功率损耗最低、可实现最高热效率

具有卓越质量和可靠性的坚固封装

经过优化的总栅极电荷可实现更小的驱动器输出级

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