Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 22.4 A, VSON, 表面安装, 5引脚, CoolMOS P6系列

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RS 库存编号:
214-9073
制造商零件编号:
IPL60R180P6AUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

22.4A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

VSON

系列

CoolMOS P6

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

180mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

176W

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

44nC

高度

1.1mm

标准/认证

No

宽度

8.1 mm

长度

8.1mm

汽车标准

the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线( sj )原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos P6 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。提供的器件具有快速切换 sj mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性。极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。

mosfet dv/dt 稳定增加

易于使用 / 驱动