Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=240 V, Id=350 mA, 4针, SOT-223, BSP88系列

RS 库存编号:: 218-2981
Distrelec 货号:: 304-39-399
制造商零件编号:: BSP88H6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=240 V, Id=350 mA, 4针, SOT-223, BSP88系列

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RS 库存编号:: 218-2981
Distrelec 货号:: 304-39-399
制造商零件编号:: BSP88H6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	350mA
	最大漏源电压 Vd	240V
	包装类型	SOT-223
	系列	BSP88
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	6Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.5nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	1.8W
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	6.7mm
	宽度	3.7mm
	高度	1.8mm
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 350mA
	最大漏源电压 Vd 240V
	包装类型 SOT-223
	系列 BSP88
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 6Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.5nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 1.8W
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 6.7mm
	宽度 3.7mm
	高度 1.8mm
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSP88H6327XTSA1

Infineon BSP88系列MOSFET,240V最大漏源电压,1.8W最大功耗 - BSP88H6327XTSA1

这款 MOSFET 是一款高压 N 通道晶体管,专为在严苛环境中实现表面贴装功率开关和控制而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于汽车应用,并提供增强模式开关,并提供适合典型控制电压的栅极保护。

特性和优点：

• 240V 漏源额定值可实现高压开关能力
• 6Ω 最大 Rds 可减少低电流电路中的传导损耗
• 350mA 连续漏电流支持中等电流负载
• 4.5nC 典型栅极电荷,可实现更快的栅极转换
• 1.8W 功耗可适应中等热负载
• 20V 栅极-源极限提供定义的栅极保护空间

应用

• 适用于汽车传感器接口电路
• 适用于隔离高压控制级
• 与电池管理或辅助系统配合使用
• 可用于板级电源序列
• 适用于低功率电机驱动器控制

它在运行过程中能承受的温度范围是多少?

该设备额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C。

该设备旨在如何安装在 PCB 上?

它采用SOT-223封装,用于表面贴装组装。

设计人员应期望的封装引脚数量是多少?

提供四个用于电路连接的引脚。

哪些通道类型和模式定义了其开关行为?

它是一款在增强模式下运行的 N 通道设备。

它符合哪些汽车标准的认证要求?

它符合AEC-Q101汽车组件标准。