制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=260 A, 8针, HSOF, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 218-2990
制造商零件编号:: IAUT260N10S5N019ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=260 A, 8针, HSOF, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:: 218-2990
制造商零件编号:: IAUT260N10S5N019ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	260A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	OptiMOS 5
	包装类型	HSOF
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.9mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	300W
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	+175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 260A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 OptiMOS 5
	包装类型 HSOF
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 300W
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 +175°C
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IAUT260N10S5N019ATMA1

the Infineon ® 100V它具有收费（ hsof － 8 ）封装类型。

N 通道 - 增强模式

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

超低 Rds(on)

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