Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=300 A, 8针, HSOF, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 214-4347
- 制造商零件编号:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 214-4347
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- IAUT300N10S5N015ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 166nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 300A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 HSOF | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 166nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 系列 MOSFET，100V 最大漏源电压，300A 最大连续漏极电流 - IAUT300N10S5N015ATMA1
该 MOSFET 是一款高功率 N 通道增强型设备，专为苛刻的开关和功率转换而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于恶劣条件，并采用工业标准 HSOF 封装表面安装，提供低正向压降，可在高电流电路中实现高效传导。
特性和优点：
• 100V 漏极能力，可实现高压开关
• 1.5mΩ 低 Rds(on)，可降低高电流下的传导损耗
• 300A持续电流，支持重载应用
• 375W 功耗，支持持续的热负载
• 166nC 栅极电荷平衡开关速度和驱动要求
• 1.3V 正向电压可限制负载下的压降
• 1.5mΩ 低 Rds(on)，可降低高电流下的传导损耗
• 300A持续电流，支持重载应用
• 375W 功耗，支持持续的热负载
• 166nC 栅极电荷平衡开关速度和驱动要求
• 1.3V 正向电压可限制负载下的压降
应用
• 适用于高电流功率转换器和逆变器
• 适用于电力电子领域的牵引和电机驱动级
• 用于工业系统中的高性能 DC-DC 转换器
• 可用于固态配电模块
• 适用于服务器电源的快速开关级
• 适用于电力电子领域的牵引和电机驱动级
• 用于工业系统中的高性能 DC-DC 转换器
• 可用于固态配电模块
• 适用于服务器电源的快速开关级
高效开关所需的栅极驱动强度是多少？
预期栅极驱动器能够提供并吸收足够的电流，以便在您的目标开关间隔内完成 166nC 充电
较慢的驱动器会增加开关损耗。
该设备如何处理较高的结温？
其额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C，在采用适当的热管理时，允许在高温环境中使用。
在热性能方面，需要考虑哪些重要安装因素？
表面安装 HSOF 需要精心设计的 PCB 散热焊盘和散热策略，以在重负荷条件下耗散高达 375W 的功率。
通道配置对电路设计有何影响？
作为一款 N 通道增强型设备，它适用于低边开关或同步整流布局，其中栅极参考接近源极电位。
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