制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=150 A, 8针, HSOF, IAUT系列

RS 库存编号:: 229-1806
制造商零件编号:: IAUT150N10S5N035ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=150 A, 8针, HSOF, IAUT系列

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10 - 95	RMB27.652	RMB138.26
100 - 245	RMB27.154	RMB135.77
250 - 495	RMB26.664	RMB133.32
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* 参考价格

RS 库存编号:: 229-1806
制造商零件编号:: IAUT150N10S5N035ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	150A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	IAUT
	包装类型	HSOF
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	3.5mΩ
	通道模式	增强
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 150A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 IAUT
	包装类型 HSOF
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ
	通道模式增强
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon n 通道 MOSFET 具有 175°C 工作温度和 100% 雪崩测试。

它符合 RoHS 标准且符合 AEC Q101 标准

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