制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=36 A, 3针, Hip-247, SCTW40N系列

RS 库存编号:: 219-4227
制造商零件编号:: SCTW40N120G2V
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=36 A, 3针, Hip-247, SCTW40N系列

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单位	每单位	Per Tube*
30 - 30	RMB137.39	RMB4,121.70
60 - 90	RMB134.642	RMB4,039.26
120 +	RMB131.949	RMB3,958.47

* 参考价格

RS 库存编号:: 219-4227
制造商零件编号:: SCTW40N120G2V
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	36A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	Hip-247
	系列	SCTW40N
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	700mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	278W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	13nC
	最大栅源电压 Vgs	22V
	正向电压 Vf	3.3V
	最高工作温度	175°C
	高度	20.15mm
	长度	15.75mm
	宽度	5.15mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 36A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 Hip-247
	系列 SCTW40N
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 700mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 278W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC
	最大栅源电压 Vgs 22V
	正向电压 Vf 3.3V
	最高工作温度 175°C
	高度 20.15mm
	长度 15.75mm
	宽度 5.15mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - SCTW40N120G2V

STMicroelectronics 功率 mosfet 器件使用 st 的 Advanced 和创新的 2nd generation sic mosfet 技术开发而成。该设备的每个装置区域具有非常低的接通电阻和非常好的切换性能。开关损耗的变化几乎独立于接点温度。

极高的工作接点温度能力（ tj = 200 °c ）

非常快速且坚固的固有主体二极管

极低栅极电荷和输入电容

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=36 A, 3针, Hip-247, SCTW40N系列

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