STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=60 A, 4针, Hip-247, SCTW系列

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RS 库存编号:
230-0093
制造商零件编号:
SCTWA60N120G2-4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

1.2kV

包装类型

Hip-247

系列

SCTW

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

52mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最大功耗 Pd

388W

最大栅源电压 Vgs

22V

正向电压 Vf

3V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

5.1mm

高度

21.1mm

长度

15.9mm

汽车标准

否

STMicroelectronics SCTWA60N 是一款碳化硅功率 MOSFET 器件，采用 ST 的 Advanced 和创新的第 2 代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备的单位面积具有极低的接通电阻和非常好的切换性能。切换损耗的变化几乎与接点温度无关。

非常快速且坚固的本征主体二极管

极低的栅极电荷和输入电容

源感应引脚，用于提高效率

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