ROHM , 2 N型, P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7 A, DFN, 表面安装, 9引脚
- RS 库存编号:
- 223-6202
- 制造商零件编号:
- HS8MA2TCR1
- 制造商:
- ROHM
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- HS8MA2TCR1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.08Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 4W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.08Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.8nC | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大功耗 Pd 4W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
宽度 3.3 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.8mm | ||
长度 3.3mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 小信号 MOSFET 采用 TSMT8 封装类型。它主要用于切换。
低接通电阻
小型表面安装封装
无铅电镀，符合 RoHS 标准