Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=43 A, 8针, HSOF, IPT010N08NM5系列

RS 库存编号:: 225-0581
制造商零件编号:: IPT010N08NM5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=43 A, 8针, HSOF, IPT010N08NM5系列

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RS 库存编号:: 225-0581
制造商零件编号:: IPT010N08NM5ATMA1
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	43A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	IPT010N08NM5
	包装类型	HSOF
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.05mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	178nC
	正向电压 Vf	1V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	375W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	宽度	10.58mm
	高度	2.4mm
	长度	10.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 43A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 IPT010N08NM5
	包装类型 HSOF
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.05mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 178nC
	正向电压 Vf 1V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 375W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	宽度 10.58mm
	高度 2.4mm
	长度 10.1mm
	汽车标准否

Datasheet-IPT010N08NM5ATMA1

Infineon IPT010N08NM5 系列 MOSFET,80V 漏源电压,43A 连续漏电流 - IPT010N08NM5ATMA1

这款 MOSFET 是一款半导体开关设备,专为表面安装组件中的高电流高压应用而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要稳健排放源性能和大功率处理的电源转换、开关和驱动电路。

特性和优点：

• 低导通电阻可在高电流下降低传导损耗
• 高漏源电压可在 80 V 系统导轨下运行
• 高连续漏电流可实现持久的 43 A 负载处理
• 高功耗支持高达375W的热负载
• 典型栅极电荷为 178 nC,可实现可预测的开关能量

应用

• 适用于DCDC转换器开关级应用
• 非常适用于电机驱动半桥配置
• 与需要高电流处理的电源配合使用
• 可用于转换器中的同步整流

在电路设计过程中,必须遵守哪些栅极电压限制?

为避免栅极-源过度压力,栅极不得超过最大 20 V 的电压。

它在运行过程中可承受的热环境范围是多少?

其工作温度范围为-55°C至175°C,可在极端温度条件下使用。

用于 PCB 路由和连接的引脚数量有多少?

表面贴装封装中有八个用于布局和电气连接的引脚。

在设计 PCB 封装时,应考虑哪种封装类型?

该组件采用 HSOF 封装,适用于表面安装和电路板连接。

效率计算时需要考虑的典型导电电阻是多少?

预期最大漏源电阻约为 1.05 mΩ,用于损耗估计。