Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 65 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
228-2824
制造商零件编号:
SI7116BDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

65A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

7.4mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

62.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

31.4nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

高度

0.75mm

标准/认证

No

汽车标准

Vishay TrenchFET N 通道功率 MOSFET 用于直流 / 直流初级侧开关,电信 / 服务器,电动机驱动器控制和同步整流。

极低的 Qg 和 Qoss 可减少功率损耗和

提高效率

经优化的 Qg、Qgd 和 Qgd/Qgs 比降低了

与切换相关的功耗