Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 69.3 A, powerpir 3 x 3S, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SiZ340BDT-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 228-2939
- 制造商零件编号:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB4.79 | RMB119.75 |
| 50 - 75 | RMB4.67 | RMB116.75 |
| 100 - 225 | RMB4.553 | RMB113.83 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2939
- 制造商零件编号:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 69.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | powerpir 3 x 3S | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00856Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 31W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 69.3A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 powerpir 3 x 3S | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00856Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.4nC | ||
最大功耗 Pd 31W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay 双 N 通道 30 V (D-S) MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试