Vishay N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=8.9 A, 8针, powerpir 3 x 3S, SIZ260DT系列

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RS 库存编号:
256-7437
制造商零件编号:
SIZ260DT-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

8.9A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

powerpir 3 x 3S

系列

SIZ260DT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0247Ω

最大功耗 Pd

33W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.3nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

+150°C

长度

3.3mm

标准/认证

RoHS

宽度

3.3mm

汽车标准

否

Vishay SIZ260DT 系列 MOSFET，33W 最大功耗，80V 最大漏源电压 - SIZ260DT-T1-GE3


这款 MOSFET 是一款表面贴装 N 沟道晶体管，专为紧凑型电子设备中的功率开关而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要中等电压处理和高连续电流能力的应用。该器件符合 RoHS，采用紧凑的 PowerPAIR 3x3S 封装供应，适用于高密度电路板布局。

特性和优点：


• 80V 漏源额定值可实现中等电压开关
• 8.9A 连续漏极电流支持高负载电路
• 0.0247Ω Rds(on) 可降低导通损耗，从而提高效率
• 6.3nC 典型栅极电荷可实现更快的栅极驱动响应
• 33W最大功耗，可有效管理热应力
• 20V的栅源极限制，提供宽广的栅极驱动裕量

应用


• 适用于DCDC转换器开关级应用
• 用于电机驱动半桥配置
• 非常适合电信设备中的电源管理
• 可用于 SMPS 中的同步整流
• 适用于紧凑型电路板的大电流负载开关

我应该预留哪种封装尺寸进行安装？


该设备采用 PowerPAIR 3x3S 表面贴装封装,标称封装尺寸为 3.3mm x 3.3mm,配备八个引脚,因此设计垫必须与紧凑外形匹配。

它在极端温度条件下的表现如何？


其指定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，在该温度范围内保持导通和开关特性。

必须遵守哪些栅极驱动限制？


最大允许栅源值为 20V

栅极驱动电路应设计为将 Vgs 保持在此限值范围内，以防止器件承受应力。

设计中应如何考虑热管理？


最大功耗为 33W，应配备足够的 PCB 铜箔、热过孔或散热片，以将结温保持在安全范围内。

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