onsemi N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=142 A, 4针, TO-247, SiC Power系列

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1350 - 1800RMB144.189RMB64,885.05
2250 +RMB141.305RMB63,587.25

* 参考价格

RS 库存编号:
229-6457
制造商零件编号:
NTH4L015N065SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

142A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

SiC Power

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

12mΩ

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

283nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

500W

最大栅源电压 Vgs

22V

正向电压 Vf

4.8V

最高工作温度

175°C

长度

15.8mm

宽度

5.2mm

标准/认证

No

高度

22.74mm

汽车标准

否

ON Semiconductor SiC 电源系列 MOSFET 采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外，低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。

最高效

更快的操作频率

功率密度增加

降低的 EMI

系统尺寸减小

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