制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, H2PAK-2, STH200系列

RS 库存编号:: 234-8896
制造商零件编号:: STH200N10WF7-2
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, H2PAK-2, STH200系列

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RS 库存编号:: 234-8896
制造商零件编号:: STH200N10WF7-2
制造商:: STMicroelectronics

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	H2PAK-2
	系列	STH200
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	4mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	93nC
	最大功耗 Pd	340W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 H2PAK-2
	系列 STH200
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 4mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 93nC
	最大功耗 Pd 340W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - STH200N10WF7-2

STMicroelectronics N 沟道功率场效应管 (MOSFET) 运用带增强型沟槽栅极结构的 STripFET F7 技术，可增强线性模式耐受能力和提供更宽的 SOA 性能，并且具有超低导通电阻的特点。因此，这款功率场效应管可确保线性模式和切换操作之间最佳平衡。

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