ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 10.5 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8KC7TB1
- RS 库存编号:
- 235-2813
- 制造商零件编号:
- SH8KC7TB1
- 制造商:
- ROHM
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 235-2813
- 制造商零件编号:
- SH8KC7TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 4.05mm | |
| 高度 | 5.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10.5A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 4.05mm | ||
高度 5.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 低接通电阻 MOSFET 特别适用于开关应用。此产品包括两个 60V MOSFET ，采用小型表面安装封装。
无铅电镀
无卤素
相关链接
- ROHM 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3.5 A, SOP-8, 表面安装, 8引脚, SH8KC5TB1, SH8KC5系列
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 10.5 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8KC7TB1
- ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 6.5 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8KC6TB1
- ROHM , 1 N型, P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, SOP-8, 表面安装, 8引脚, SH8系列, SH8MC4TB1
- ROHM , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 8 A, SOP-8, 表面安装, 6引脚, SH8系列, SH8KE7TB1
- ROHM , 1 N型, P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 8.5 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8MB系列, SH8MB5TB1
- ROHM N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 8 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8KA2TB1
- ROHM , 2 P型, N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 9 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8MA4系列, SH8MA4TB1