制造商编号

Vishay P型沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=-19.3 A, 8针, SO-8, Si4153DY系列

RS 库存编号:: 239-5363
制造商零件编号:: SI4153DY-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=-19.3 A, 8针, SO-8, Si4153DY系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 10 件）*

RMB53.96

(不含税)

RMB60.97

(含税)

最后的 RS 库存

最终 7,320 个，准备发货

单位	每单位	每包*
10 - 40	RMB5.396	RMB53.96
50 - 90	RMB5.233	RMB52.33
100 - 240	RMB5.078	RMB50.78
250 - 990	RMB4.924	RMB49.24
1000 +	RMB4.777	RMB47.77

* 参考价格

RS 库存编号:: 239-5363
制造商零件编号:: SI4153DY-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	-19.3A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	SO-8
	系列	Si4153DY
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	95mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	31nC
	最大功耗 Pd	5.6W
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id -19.3A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 SO-8
	系列 Si4153DY
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 95mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC
	最大功耗 Pd 5.6W
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SI4153DY-T1-GE3

这款 Vishay P 沟道 MOSFET 的漏极电流为 -19.3 A，用于适配器开关、电源管理、负载开关

100% Rg 测试

相关链接