制造商编号

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 100 A, ag- EASY2B, 螺钉接线端子安装, 8引脚, F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1, IAUZ系列

RS 库存编号:: 250-0218
制造商零件编号:: F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 100 A, ag- EASY2B, 螺钉接线端子安装, 8引脚, F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1, IAUZ系列

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制造商零件编号:: F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	ag- EASY2B
	系列	IAUZ
	安装类型	螺钉接线端子
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.4mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 ag- EASY2B
	系列 IAUZ
	安装类型螺钉接线端子
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 2B 1200 V/8 mΩ 3 电平模块，采用具有增强型第 1 代沟槽技术的 CoolSiC™ MOSFET、集成 NTC 温度传感器、预涂热界面材料和 PressFIT 触点技术。

高电流密度

低开关损耗

利用集成式安装夹可实现牢固安装

集成 NTC 温度传感器

PressFIT 触点技术

预涂热界面材料

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 100 A, ag- EASY2B, 螺钉接线端子安装, 8引脚, F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1, IAUZ系列

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