Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, -1.5 A, US, 表面安装, 6引脚, BSV236SPH6327XTSA1, BSV系列

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包装方式:
RS 库存编号:
250-0562
制造商零件编号:
BSV236SPH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-1.5A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

US

系列

BSV

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

3.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌OptiMOS-P是一种小信号晶体管,在增强模式下是P沟道型。超逻辑电平(2.5 V 额定值)。它具有雪崩等级和dv/dt 等级。

VDS为20 V,Rds(接通)为175 mΩ,Id是1.5A

150°C工作温度

最大功耗为560mW