Vishay N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=6 A, 8针, ChipFET

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包装方式：
RS 库存编号:
256-7369
制造商零件编号:
SI5468DC-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

ChipFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4Ω

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay Semiconductor N 通道 1206-8 芯片 FET 30v 无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义,其应用包括系统电源、负载开关、低电流直流、直流。

TrenchFET 功率 Mosfet

100% Rg 测试

脉冲测试脉冲宽度 ≤ 300 μs,负载循环 ≤ 2 %

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