Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 6 A, ChipFET, 表面安装, 8引脚, SI5468DC-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 256-7369
- 制造商零件编号:
- SI5468DC-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.664 | RMB66.60 |
| 50 - 75 | RMB2.53 | RMB63.25 |
| 100 - 225 | RMB2.404 | RMB60.10 |
| 250 - 975 | RMB2.283 | RMB57.08 |
| 1000 + | RMB2.169 | RMB54.23 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7369
- 制造商零件编号:
- SI5468DC-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | ChipFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 ChipFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道 1206-8 芯片 FET 30v 无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义,其应用包括系统电源、负载开关、低电流直流、直流。
TrenchFET 功率 Mosfet
100% Rg 测试
脉冲测试脉冲宽度 ≤ 300 μs,负载循环 ≤ 2 %