Vishay N沟道MOSFET, Vds=8 V, Id=6.3 A, 4针, WLCSP
- RS 库存编号:
- 256-7396
- 制造商零件编号:
- SI8424CDB-T1-E1
- 制造商:
- Vishay
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- 256-7396
- 制造商零件编号:
- SI8424CDB-T1-E1
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 8V | |
| 包装类型 | WLCSP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.024Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 6.3A | ||
最大漏源电压 Vd 8V | ||
包装类型 WLCSP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.024Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 0.6mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道 8 V 6.3A (Ta) 1.1W (Ta)、2.7W (Tc) 具有表面安装,带 4 微英尺封装类型,其应用包括移动计算、智能手机、平板电脑。
TrenchFET 功率 Mosfet
低接通电阻
超小型 1.6 mm x 1.6 mm 最大轮廓
超薄 0.6 mm 最大高度
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