Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=-60 V, -2.4 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SI4948BEY-T1-E3, Si4948BEY系列
- RS 库存编号:
- 256-7362
- 制造商零件编号:
- SI4948BEY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 2500 件）*
RMB12,055.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 + | RMB4.822 | RMB12,055.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7362
- 制造商零件编号:
- SI4948BEY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -2.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | -60V | |
| 系列 | Si4948BEY | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.15Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.4W | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -2.4A | ||
最大漏源电压 Vd -60V | ||
系列 Si4948BEY | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.15Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.4W | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
高度 1.75mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Si4948BEY 系列 MOSFET,-60 V 漏源电压,-2.4 A 连续漏电流 - SI4948BEY-T1-E3
此 MOSFET 是 P 通道表面贴装晶体管,设计用于电子系统中的开关和功率控制任务。它可在宽温度范围内工作,适用于需要SOIC封装和适度功率处理的紧凑型板。该设备适用于需要 P 通道选项的工程师,在电路级设计中具有特定的栅极电荷和热限制。
特性和优点：
• P‐通道设备支持负漏源电压,用于高侧切换 • 额定漏源电压为-60 V,支持高电压应用 • 最大连续漏电流 -2.4 A,可适度处理负载 • 低导通电阻 0.15Ω,可减少传导损耗 • 典型栅极电荷为 14.5nC,便于可预测的开关行为 • 功耗为 1.4W,可在受限布局中管理热量预算
应用
• 适用于电机控制模块中的高侧开关 • 适用于电源管理电路中的负载断开 • 用于供电导轨的反极性保护 • 可用于电池管理和充电控制 • 适用于需要紧凑型P通道晶体管的SMD组件
在设计过程中,应遵守哪些栅极电压限制?
栅极-源电压不得超过 ±20V,以防止栅极氧化应力并确保可靠运行。
该设备在高温下的表现如何?
它的设计工作温度最高可达175°C,因此设计人员应考虑随温度升高而降低的电流和功率。
针对 PCB 布局考虑,提供哪些封装和引脚数量?
该组件采用SOIC‐8封装,带八个引脚,适用于标准SMD封装设计。
与材料和工艺可接受性相关的标准是什么?
该组件符合RoHS 2002/95/EC标准,并符合IEC 61249‐2‐21材料规格。
指示哪种正向电压或体二极管特性?
固有二极管传导行为的正向电压为 -1.2 V。