Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 375 A, 直接 FET（L）, PCB安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5564
- 制造商零件编号:
- IRL7472L1TRPBF
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 4000 件）*
¥60,028.00
(不含税)
¥67,832.00
(含税)
有库存
- 另外 4,000 件在 2025年12月08日 发货
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 + | RMB15.007 | RMB60,028.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5564
- 制造商零件编号:
- IRL7472L1TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 375 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | 直接 FET（L） | |
| 安装类型 | PCB | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 375 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 直接 FET（L） | ||
安装类型 PCB | ||
Infineon strongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS 和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合，应用广泛，包括直流电机、电池管理系统、变频器和直流对直流转换器。
经优化后可从分销合作伙伴处获得最广泛的产品供应
产品符合 JEDEC 标准
高额定电流
双面冷却能力
封装高度仅 0.7mm
低寄生 (1-2 nH) 电感封装
100% 无铅 (无 RoHS 豁免)
产品符合 JEDEC 标准
高额定电流
双面冷却能力
封装高度仅 0.7mm
低寄生 (1-2 nH) 电感封装
100% 无铅 (无 RoHS 豁免)