Infineon MOSFET, Vds=2000 V, 50 A, AG-EASY3B, 表面安装, DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- RS 库存编号:
- 260-1093
- 制造商零件编号:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 260-1093
- 制造商零件编号:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 2000V | |
| 包装类型 | AG-EASY3B | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 26.5mΩ | |
| 正向电压 Vf | 6.15V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 2000V | ||
包装类型 AG-EASY3B | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 26.5mΩ | ||
正向电压 Vf 6.15V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 在一个 Easy 3B 壳体中具有 4 支脚升压配置,并随附最新一代 CoolSiC M1H。2000 V SiC MOSFET 与 1200 V M1H 系列具有相同的性能和优势,包括 在 125° C 时,RDS(on) 降低 12%,门源电压区域更宽,灵活性更高,最大接线温度为 175° C,芯片尺寸更小。
高电流密度
低电感设计
由于集成安装夹,可坚固安装
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