Infineon N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=207 A, HDSOP, IPD系列

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RS 库存编号:
260-1201
制造商零件编号:
IPDQ60R040S7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

207A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

IPD

包装类型

HDSOP

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

0.82V

最大功耗 Pd

272W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

83nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

宽度

15.5mm

标准/认证

RoHS

长度

15.1mm

高度

2.35mm

汽车标准

否

Infineon MOSFET 为低频切换应用提供最佳价格性能。CoolMOS S7 拥有 HV SJ MOSFET 的最低 Rdson 值,能效显著提高。CoolMOS S7 经优化用于“静态切换”和高电流应用。它特别适用于固态继电器和断路器设计,以及用于 SMPS 和变频器拓扑中的线路整流。

高脉冲电流能力

提高系统性能

更紧凑、更简单的设计

延长使用寿命时,可降低 BOM 和/或 TCO

抗冲击和抗振性

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