Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=35 A, 3针, TO-220, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 260-5863
- 制造商零件编号:
- IRFB4615PBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 260-5863
- 制造商零件编号:
- IRFB4615PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 35A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 35A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 单 N 通道 StrongIRFET 功率 MOSFET。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和具有高额定电流的直流-直流转换器。
高电流承载能力封装
在低频应用中具有高性能
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