STMicroelectronics N沟道MOSFET, Id=20 A, 3针, TO-252
- RS 库存编号:
- 261-5483
- 制造商零件编号:
- STD65N160M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商零件编号:
- STD65N160M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 160mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 160mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 基于最具创新性的超级接线 MDmesh M9 技术,适用于每个区域具有非常低的 RDS(接通)的中/高电压 MOSFET。基于硅的 M9 技术受益于多排放制造过程,可实现增强型器件结构。
更高的 VDSS 额定值
出色的切换性能
易于驱动
100% 雪崩测试
齐纳保护
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