制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=24 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

RS 库存编号:: 262-6752
Distrelec 货号:: 304-34-458
制造商零件编号:: IRFI1310NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=24 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

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5 - 45	RMB19.484	RMB97.42
50 - 95	RMB15.144	RMB75.72
100 - 245	RMB13.646	RMB68.23
250 - 995	RMB13.38	RMB66.90
1000 +	RMB12.406	RMB62.03

* 参考价格

RS 库存编号:: 262-6752
Distrelec 货号:: 304-34-458
制造商零件编号:: IRFI1310NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	24A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.036Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 24A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.036Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IRFI1310NPBF

Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。它具有 4.8mm 凹槽到引线凹槽寿命距离。它为设计人员提供极高效可靠的设备,适用于各种应用。

完全防风雨等级

高电压隔离 2.5KVRMS

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