Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 169 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT系列
- RS 库存编号:
- 273-2794
- 制造商零件编号:
- IPT029N08N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB34.15 | RMB68.30 |
| 50 - 98 | RMB31.04 | RMB62.08 |
| 100 - 248 | RMB28.445 | RMB56.89 |
| 250 - 998 | RMB26.26 | RMB52.52 |
| 1000 + | RMB25.47 | RMB50.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2794
- 制造商零件编号:
- IPT029N08N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 169A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | IPT | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7nC | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 169A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 IPT | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
这种 Infineon MOSFET 是 N 沟道 80 V MOSFET，它是高频开关和同步整流的理想选择。针对目标应用，符合 JEDEC 标准。这款 MOSFET 完全符合 JEDEC 工业应用标准，也符合 IEC61249 2 21 无卤标准。
符合 RoHS 标准
无铅引线电镀
出色的栅极电荷
极低导通电阻
100% 通过雪崩测试