制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=169 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT系列

RS 库存编号:: 273-2794
制造商零件编号:: IPT029N08N5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=169 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT系列

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RS 库存编号:: 273-2794
制造商零件编号:: IPT029N08N5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	169A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	PG-HSOF-8
	系列	IPT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	2.9mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	167W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	7nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 169A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 PG-HSOF-8
	系列 IPT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 167W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21
	汽车标准否

Datasheet - IPT029N08N5ATMA1

这种 Infineon MOSFET 是 N 沟道 80 V MOSFET，它是高频开关和同步整流的理想选择。针对目标应用，符合 JEDEC 标准。这款 MOSFET 完全符合 JEDEC 工业应用标准，也符合 IEC61249 2 21 无卤标准。

符合 RoHS 标准

无铅引线电镀

出色的栅极电荷

极低导通电阻

100% 通过雪崩测试

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