制造商编号

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 3.6 A, PG-SOT223, 表面安装, 3引脚, IPN系列

RS 库存编号:: 273-3016
制造商零件编号:: IPN60R1K5PFD7SATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 3.6 A, PG-SOT223, 表面安装, 3引脚, IPN系列

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RS 库存编号:: 273-3016
制造商零件编号:: IPN60R1K5PFD7SATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	3.6A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PG-SOT223
	系列	IPN
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.5Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.6nC
	最大功耗 Pd	6W
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC Standard
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 3.6A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PG-SOT223
	系列 IPN
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.5Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.6nC
	最大功耗 Pd 6W
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC Standard
	汽车标准否

Datasheet - IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon 600V 冷 MOS PFD7 超级接线 MOSFET 补充了用于消费应用的冷 MOS 7。

BOM 成本降低和易于制造

坚固性和可靠性

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