Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 3.6 A, PG-SOT223, 表面安装, 3引脚, IPN系列
- RS 库存编号:
- 273-3016
- 制造商零件编号:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥34.55
(不含税)
¥39.04
(含税)
有库存
- 2,990 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB3.455 | RMB34.55 |
| 50 - 90 | RMB2.926 | RMB29.26 |
| 100 - 240 | RMB2.718 | RMB27.18 |
| 250 - 990 | RMB2.665 | RMB26.65 |
| 1000 + | RMB2.614 | RMB26.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-3016
- 制造商零件编号:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-SOT223 | |
| 系列 | IPN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 6W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC Standard | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.6A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-SOT223 | ||
系列 IPN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 6W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.6nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC Standard | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V 冷 MOS PFD7 超级接线 MOSFET 补充了用于消费应用的冷 MOS 7。
BOM 成本降低和易于制造
坚固性和可靠性