Toshiba P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 100 mA, SSM, 贴片安装, 3引脚, SSM3系列
- RS 库存编号:
- 639-5578
- 制造商零件编号:
- SSM3J16FS(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- SSM3J16FS(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 100 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SSM | |
| 系列 | SSM3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 8 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最大功率耗散 | 100 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 宽度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 100 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SSM | ||
系列 SSM3 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 8 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最大功率耗散 100 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
宽度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.7mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET P 通道，SSM3J 系列，Toshiba
MOSFET 晶体管，Toshiba