Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 17 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
688-6920
Distrelec 货号:
304-43-451
制造商零件编号:
IRFB4019PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

17A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

95mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

80W

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

宽度

4.82 mm

长度

10.66mm

标准/认证

No

高度

9.02mm

汽车标准

数字音频 MOSFET,Infineon


D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列,可简化高效 D 级放大器设计。

MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。