Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=17 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

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RS 库存编号:
688-6920
Distrelec 货号:
304-43-451
制造商零件编号:
IRFB4019PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

17A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

95mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

80W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

9.02mm

宽度

4.82mm

长度

10.66mm

汽车标准

否

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